Глобальная оптимизация радиоэлектронной схемы
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
фотопроводимость полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости - дырка проводимости, возникающей под действием оптического излучения.
Исследованы спектры низкотемпературной (77К) фотопроводимости кристаллов CdS в области края поглощения в зависимости от направления сканирования длины волны возбуждающего света. Показано, что наблюдаемый гистерезис спектральной зависимости фотопроводимости полупроводника может быть обусловлен оптической перезарядкой r-центра глубокого компенсированного собственно-дефектного акцептора, ассоциированного с мелким донором.
Приведены результаты экспериментальных исследований оптических, транспортных свойств и фотопроводимости поверхности арсенида галлия, покрытой пленкой трифенилметанового (кристаллический фиолетовый) и ксантенового (флуоресцеин) красителей. Для кристаллического фиолетового обнаружен эффект фотосенсибилизации в спектральной области, не совпадающей с полосой собственного поглощения красителя. Обсуждаются возможные механизмы спектральной сенсибилизации поверхности полупроводника.
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве