Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
ненамеренное соединение материалов друг с другом под влиянием сил межмолекулярного взаимодействия.
соединений; мицеллярные коллоиды (ассоциативные): это растворы, в которых коллоидные частицы возникают при слипании
Рассматривается реализация булевых функций схемами из ненадёжных функциональных элементов в некоторых полных конечных базисах. Предполагается, что каждый из элементов схемы независимо от других элементов подвержен дизъюнктивным (конъюнктивным) слипаниям входов. Показано, что в некоторых базисах любую булеву функцию можно реализовать схемой сколь угодно высокой надёжности, а в некоторых схемой, ненадёжность которой равна нулю.
А при производстве коротких изделий в целях предотвращения во время сушки слипания изделий используют...
В силу этой причины в данном случае требуется облегчение резки и предотвращение слипания изделия, чего...
результате на поверхности макаронных изделий образуется подсушенная корочка, которая и препятствует слипанию
Эффект гидродинамического обтекания существенно ограничивает возможность соприкосновения минеральных зерен (размером не менее 30-60 мк) с пузырьками. Коэффициент соприкосновения можно определять по формуле Ленгмюра. Вторая стадия элементарного акта флотации протекает по-разному, в зависимости от места соприкосновения частицы с пузырьком и ее скорости в момент соприкосновения. Полученные в работе формулы для вероятности соприкосновений необходимы при расчете скоростей флотационного процесса. При этом в определенных условиях должно обнаружиться резкое убывание скорости флотации с размером частиц, чему соответствует убывание вероятности соприкосновения от единицы до тысячи долей при убывании размера частиц от десятых до тысячных долей миллиметра. Число сфлотированных частиц находится в прямой зависимости от числа соприкосновений поэтому при рассмотрении селективности флотации совершенно необходимо учитывать влияния различия дисперсности частиц различного сорта.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
полимер, полученный из двух или более видов мономера.