Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
количество термопласта, экструдированное за единицу времени в данных условиях.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
дешевый ювелирный и декоративный сплав, содержащий 5% Ag, 5% Сu, Al - ост..
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне