разность энергий между нижним уровнем зоны проводимости и верхним уровнем валентной зоны полупроводника.
Эти зоны отделены полосами запрещенных энергий....
Решение:
Электрические свойства тел связаны с шириной запрещенной энергетической зоны и различиями...
Металлы, диэлектрики и полупроводники различаются степенью заполнения валентной зоны электронами и шириной...
У диэлектриков ширина запрещенной зоны равна нескольким электрон вольтам....
У кристаллических полупроводников ширина запрещенной зоны между полностью заполненной валентной зоной
Рассматриваются различные механизмы, вызывающие сужение запрещенной зоны в сильно нагретом кремнии. В области высоких температур становится необходимым использование квантовой статистики ФермиДирака для описания носителей, поскольку химический потенциал кремния оказывается в валентной зоне и зоне проводимости при высоких концентрациях носителей. Показано, что в условиях достаточно сильного нагрева собственного полупроводника вырождение носителей вызывает сильное сужение ширины запрещенной зоны. Полученные значения сужения ширины запрещенной зоны сравниваются с экспериментальными результатами.
определено двумя причинами:
Характером расположения энергетических зон, вернее шириной запрещенной...
разрешенной зоной узкой запрещенной зоной, то такое вещество является диэлектриком только при температурах...
Это требует затраты энергии, которая не меньше, чем ширина запрещенной зоны ($\triangle E_0$)....
(В данном случае между полупроводниками и диэлектриками разница только в ширине запрещенной зоны.)...
свободную зону, соответственно, уменьшается сопротивление полупроводника.
Установлено, что ширина запрещенной зоны слоя MoS2 (дисульфида молибдена) мономолекулярной толщины при встраивании атомов серы на место атомов теллура уменьшается с 1,84 эВ и достигает 1,17 эВ в случае MoTe2. Как MoTe2, так и MoS2 в объемном состоянии являются непрямозонными полупроводниками, в то время как их монослои, а также соединения MoS2-x Te x при x < 0,5 либо x > 1,5 становятся прямозонными. В случае, когда концентрация атомов теллура меньше концентрации атомов серы, ширина запрещенной зоны тройного соединения линейно уменьшается с повышением концентрации атомов теллура.
отношение относительного изменения начальной магнитной проницаемости к логарифму отношения интервалов времени, через которые измерялась начальная магнитная проницаемость при определенных климатических условиях.
максимум интенсивности рассеянных рентгеновских луче.
полимер этилена [этена].
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
