Геометрическая ось полупроводникового излучателя
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
режим работы ФЭПП, при котором число свободных носителей заряда, генерированных излучением, превышает число термически генерированных носителей.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
предел разрешения ЭОП при заданных освещенности и контрасте штриховой миры.
объект, вносящий фазовую модуляцию в волновой фронт.