Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
режим работы ФЭПП, при котором его сопротивление нагрузки равно выходному динамическому сопротивлению.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
геометрическое место точек поверхности, в которых освещенность одинакова.
предел разрешения ЭОП при заданных освещенности и контрасте штриховой миры.