Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
расстояние, измеряемое вдоль оптической оси, начиная с которого осевая сила света прожектора достигает максимального значения.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
рефрактометр, применяемый при геодезических измерениях.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне