Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
расстояние между средними линиями ближайших пластин одной и той же фазы.
The methods and algorithms of processing of images of the microstructures images, allowing on quantitative level to range microstructures of one type of steels, are developed in the present work.
The algorithm of determination of an average interplate distance according to the computer image of the microstructure, enabling to improve degree of work automation of metallurgist is offered.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.
изменение линейных размеров тел при изменении температуры.