Справочник от Автор24
Найди эксперта для помощи в учебе
Найти эксперта
+2

Примесный уровень полупроводника

Предмет Материаловедение
👍 Проверено Автор24

локальный энергетический уровень полупроводника, обусловленный примесью.

Научные статьи на тему «Примесный уровень полупроводника»

Зонная теория твердых тел, энергетические уровни и формирование энергетических зон

Следовательно, немного свободных электронов в полупроводниках....
Если нет примесных атомов, и дефектов решетки, то стационарные движения электронов с энергией внутри...
атомов примеси возможно образование дискретных разрешенных уровней энергии (например, на рис.1 это уровень...
Каждый локальный уровень дает энергию электрона, когда он находится на примесном атоме....
На этот уровень поле сторонних сил может перевести электрон.

Статья от экспертов

Энергии и состояния электрона на глубоком примесном уровне в полупроводнике

Решена задача о модельном описании состояний электрона на глубоком примесном уровне в полупроводнике. Потенциал примесного центра выбран в виде суперпозиции кулоновского поля и сферической ямы с плоским дном. Точным методом и вариационным методом Ритца для модели находится уровень энергии и волновая функция основного состояния в широком диапазоне параметров ямы. Указывается алгоритм нахождения энергий и волновых функций первых возбужденных состояний. Обосновывается преимущество использования вариационного метода по сравнению с точным решением.

Научный журнал

Полупроводники p и n типа, p-n переход

Валентные электроны примесных атомов создают энергетические уровни в запрещенной зоне спектра....
Энергетические уровни подобных примесных электронов находятся ниже дна зоны проводимости....
Решение: При большой концентрации атомов примеси в полупроводниках происходит расширение примесных уровней...
Как результат -- уровень Ферми попадает внутрь либо проводящей, либо валентной зоны....
В тот момент, когда примесные зоны сдвигаются относительно друг друга настолько, что каждой из них на

Статья от экспертов

Об уровне энергии глубокого донора в полупроводниках с вакансиями в анионной решетке

По результатам количественного анализа барических и температурных зависимостей кинетических коэффициентов исследован примесный электронный спектр нелегированных объемных кристаллов арсенидов n -типа InAs, GaAs, CdSnAs2, CdGeAs2 и CdTe, ZnO. Выяснено, что в вышеперечисленных полупроводниках собственному дефекту вакансии в анионной подрешетке соответствует глубокий донорный центр. Определены положения уровней энергии относительно края зоны проводимости и коэффициенты давления энергетических зазоров между ними и соответствующим дном зоны проводимости. Наблюдается смещение уровней энергии глубоких донорных центров в глубь зоны проводимости с уменьшением ширины запрещенной зоны в вышеперечисленных полупроводниках. Зависимости коэффициента Холла и удельного электросопротивления от давления в nInAs и nCdSnAs2 подобны, что обусловлено наличием глубокого донорного центра, уровень энергии которого находится на сплошном спектре зоны проводимости в обоих соединениях, а различие в величинах давл...

Научный журнал

Еще термины по предмету «Материаловедение»

Ангстрем

внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.

🌟 Рекомендуем тебе

Вспенивающийся клей

клей пониженной плотности, вспенивающийся в процессе нанесения и/или отверждения, создавая пористую клеевую прослойку и заполняя пустоты.

🌟 Рекомендуем тебе

Изоформинг

термомеханическая обработка стали, проводимая во время превращения аустенита в перлит.

🌟 Рекомендуем тебе
Смотреть больше терминов

Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!

  1. Напиши термин
  2. Выбери определение из предложенных или загрузи свое
  3. Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
Все самое важное и интересное в Telegram

Все сервисы Справочника в твоем телефоне! Просто напиши Боту, что ты ищешь и он быстро найдет нужную статью, лекцию или пособие для тебя!

Перейти в Telegram Bot