локальный энергетический уровень полупроводника, обусловленный примесью.
Следовательно, немного свободных электронов в полупроводниках....
Если нет примесных атомов, и дефектов решетки, то стационарные движения электронов с энергией внутри...
атомов примеси возможно образование дискретных разрешенных уровней энергии (например, на рис.1 это уровень...
Каждый локальный уровень дает энергию электрона, когда он находится на примесном атоме....
На этот уровень поле сторонних сил может перевести электрон.
Решена задача о модельном описании состояний электрона на глубоком примесном уровне в полупроводнике. Потенциал примесного центра выбран в виде суперпозиции кулоновского поля и сферической ямы с плоским дном. Точным методом и вариационным методом Ритца для модели находится уровень энергии и волновая функция основного состояния в широком диапазоне параметров ямы. Указывается алгоритм нахождения энергий и волновых функций первых возбужденных состояний. Обосновывается преимущество использования вариационного метода по сравнению с точным решением.
Валентные электроны примесных атомов создают энергетические уровни в запрещенной зоне спектра....
Энергетические уровни подобных примесных электронов находятся ниже дна зоны проводимости....
Решение:
При большой концентрации атомов примеси в полупроводниках происходит расширение примесных уровней...
Как результат -- уровень Ферми попадает внутрь либо проводящей, либо валентной зоны....
В тот момент, когда примесные зоны сдвигаются относительно друг друга настолько, что каждой из них на
По результатам количественного анализа барических и температурных зависимостей кинетических коэффициентов исследован примесный электронный спектр нелегированных объемных кристаллов арсенидов n -типа InAs, GaAs, CdSnAs2, CdGeAs2 и CdTe, ZnO. Выяснено, что в вышеперечисленных полупроводниках собственному дефекту вакансии в анионной подрешетке соответствует глубокий донорный центр. Определены положения уровней энергии относительно края зоны проводимости и коэффициенты давления энергетических зазоров между ними и соответствующим дном зоны проводимости. Наблюдается смещение уровней энергии глубоких донорных центров в глубь зоны проводимости с уменьшением ширины запрещенной зоны в вышеперечисленных полупроводниках. Зависимости коэффициента Холла и удельного электросопротивления от давления в nInAs и nCdSnAs2 подобны, что обусловлено наличием глубокого донорного центра, уровень энергии которого находится на сплошном спектре зоны проводимости в обоих соединениях, а различие в величинах давл...
отношение относительного изменения начальной магнитной проницаемости к логарифму отношения интервалов времени, через которые измерялась начальная магнитная проницаемость при определенных климатических условиях.
закалка, осуществляемая путем охлаждения в струях жидкости, обычно воды.
прибор для проведения Оже-спектроскопии.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
