атом другого сорта в матрице, который не вводится преднамеренно в сплав и присутствует в нем в небольших количествах.
Примесная проводимость полупроводников
Электрическая проводимость полупроводников, которая вызвана наличием...
примесей атомов других химических элементов, называется примесной электрической проводимостью....
При очень больших концентрациях примесных уровней может наблюдаться расщепление примесных уровней, в...
Кремний -- четырехвалентный атом, следовательно, атом кремния имеет четыре электрона....
Мышьяк пятивалентен, значит, его атом содержит пять электронов.
С помощью метода молекулярной динамики изучено взаимодействие примесных атомов углерода, азота и кислорода с собственными межузельными атомами в ГЦК металлах: никеле, серебре и алюминии. Найдено, что собственный межузельный атом мигрирует в кристаллической решетке посредством двух механизмов: гантельного и краудионного. При этом для первого механизма, который заключается в смещении на одно межатомное расстояние и поворот гантели <001>, характерны ломаные траектории миграции атомов, для второго - прямые вдоль плотно-упакованных направлений <011> в кристалле. Рассчитаны энергии связи примесных атомов с собственными межузельными атомами в Ni, Ag и Al. Показано, что примесные атомы являются эффективными «ловушками» для сравнительно быстро мигрирующих в кристалле межузельных атомов. При взаимодействии межузельного атома и атома примеси межузельный атом принимает гантельную конфигурацию с осью вдоль направления <001>, а примесной атом располагается в ближайшей октаэдриче...
данному признаку полупроводники делятся на полупроводники с собственной проводимостью и проводники с примесной...
В кристаллической решетке четырехвалентного полупроводника, например, германия или кремний, каждый атом...
В случае ее образования электрон не принадлежит одному атому, а принадлежит двум атомам, которые связаны...
При пятивалентной примеси (изображенной на рисунке ниже) четыре валентных электрона атома примеси с четырьмя...
При данном процессе в узлах кристаллической решетки возникают положительно заряженные ионы примесных
В рамках микроскопического механизма диффузии посредством образования, миграции и распада пар «атом примеси-собственный точечный дефект» проведено исследование явления сегрегации примеси в области p-nперехода с учетом неоднородного распределения дефектов, ответственных за перенос примесных атомов.
отношение относительного изменения начальной магнитной проницаемости к логарифму отношения интервалов времени, через которые измерялась начальная магнитная проницаемость при определенных климатических условиях.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
декоративный и ювелирный сплав цинка, содержащий 45% Сu и заменяющий платину в украшениях.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
