атом, замещающий атом основного компонента в узлах кристаллической решетки.
Ненасыщенный α-атом углерода
Субстраты винильного, ацетиленового и арильного типов характеризуются очень...
, чем атом в $sp1$ гибридизации....
Повышенная реакционная способность RCOX объясняется тремя причинами:
атом углерода карбонильной группы...
Ненасыщенный β-атом углерода
$SN_2$-реакции замедляются в тех случаях, когда в $β$-положении есть двойная...
значительно меньше, чем в мономолекулярном замещении.
При гидроборировании брекс-4,8-диена и \-экзо, эндо-9-диметилбрекс-4-енов присоединение борана протекает преимущественно по атому углерода С-5 и в существенно меньшей степени по атому С-4. Поэтому в отличие от реакции оксимеркурирования демеркурирования при гидроборировании этих углеводородов получены в основном 5-функционально замещенные брексены и брексаны.
Конкуренция нуклеофильного замещения и элиминирования
Реакции элиминирования и нуклеофильного замещения...
так как растворитель и реагент $Y:$ могут вести себя двояко: как нуклеофил по отношению к углеродному атому...
и как основание по отношению к атому водорода при соседнем атоме углерода....
углерода, а при $S_N1$-механизме осуществляется атака растворителя по положительно заряженному углеродному атому...
реагента потому, что кислородный центр ее карбоксилат-иона блокирован для атаки по $sp$-гибридизованному атому
В N-трет-бутил-2-хлоральдимине имеются два электрофильных центра – трехкоординированный атом азота и С-Сl связь. Реакция альдимина с О,О-диалкилдитиофосфорными кислотами проходит по обоим центрам с образованием солей 2-О,О-диалкилдитиофосфатоальдиммония. Причем, сначала идет протонирование по атому азота, а затем нуклеофильное замещение атома хлора на дитиофосфатную группу.
отношение относительного изменения начальной магнитной проницаемости к логарифму отношения интервалов времени, через которые измерялась начальная магнитная проницаемость при определенных климатических условиях.
трещины, возникшие в процессе чрезмерно быстрого охлаждения при закалке.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
