Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
электропроводность полупроводника, обусловленная внедрением примесей.
Она называется собственной электропроводностью полупроводников....
Примесная проводимость полупроводников
Электрическая проводимость полупроводников, которая вызвана наличием...
примесей атомов других химических элементов, называется примесной электрической проводимостью....
В валентной зоне при этом появляются дырки, так возникает дырочная электропроводность полупроводника....
При очень больших концентрациях примесных уровней может наблюдаться расщепление примесных уровней, в
Установлено, что халькопирит CuInSe 2 является полупроводником примесного типа с более сложной зависимостью электропроводности от температуры, нежели у обычных примесных полупроводников. Такая температурная зависимость электропроводности обусловливается сложной структурой энергетического спектра электронов в этих кристаллах. Из температурной зависимости электропроводности определены значения энергий активации энергетических уровней собственных дефектов, которые образуются при нарушении стехиометрического состава структуры CuI nSe 2. Из анализа температурной зависимости термоэдс установлено, что при высоких температурах основным механизмом рассеяния является рассеяние на акустических фононах.
Полупроводник, в котором нет примесей, как-то влияющих на его электропроводность называется собственным...
Его электропроводность в равновесном состоянии обусловлена электронами проводимости и дырками проводимости...
У примесного полупроводника электропроводность определяется составом примесей в нем....
В дырочных полупроводниках электропроводность зависит от примесей и перемещения в пространстве дырок...
, то есть с увеличением температуры возрастает их электропроводность;
высокая термоэлектродвижущая сила
Исследовано изменение электропроводности тонких покрытий халькогенидов рения, в зависимости от температуры. Установлено, что с повышением температуры электропроводность увеличивается, т.е. имеет место полупроводниковый ход проводимости. На кривых температурных зависимостей от логарифма удельной электропроводности имеются два линейных участка, которые отвечают различным величинам энергии активации. Показано, что с повышением температуры происходит переход от примесной электропроводности к собственной. Рассчитана ширина запрещенной зоны в области собственной и примесной проводимости.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
прибор для проведения Оже-спектроскопии.
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве