электропроводность полупроводника, обусловленная парными носителями заряда (электронами и дырками) теплового происхождения.
$\triangle E_0$ -- энергия равная энергии активации собственной проводимости....
Переход электронов в верхнюю зону ведет к возникновению собственной проводимости полупроводников....
Пример 1
Задание: Опишите, процесс электропроводности в металлическом натрии....
Решение:
Электропроводность металла зависит не от количества валентных электронов на один атом, а числа...
Следовательно, электропроводность двухвалентных металлов меньше, чем одновалентных.
Исследовано изменение электропроводности тонких покрытий халькогенидов рения, в зависимости от температуры. Установлено, что с повышением температуры электропроводность увеличивается, т.е. имеет место полупроводниковый ход проводимости. На кривых температурных зависимостей от логарифма удельной электропроводности имеются два линейных участка, которые отвечают различным величинам энергии активации. Показано, что с повышением температуры происходит переход от примесной электропроводности к собственной. Рассчитана ширина запрещенной зоны в области собственной и примесной проводимости.
Полупроводник, в котором нет примесей, как-то влияющих на его электропроводность называется собственным...
Его электропроводность в равновесном состоянии обусловлена электронами проводимости и дырками проводимости...
У примесного полупроводника электропроводность определяется составом примесей в нем....
В дырочных полупроводниках электропроводность зависит от примесей и перемещения в пространстве дырок...
, то есть с увеличением температуры возрастает их электропроводность;
высокая термоэлектродвижущая сила
Установлено, что халькопирит CuInSe 2 является полупроводником примесного типа с более сложной зависимостью электропроводности от температуры, нежели у обычных примесных полупроводников. Такая температурная зависимость электропроводности обусловливается сложной структурой энергетического спектра электронов в этих кристаллах. Из температурной зависимости электропроводности определены значения энергий активации энергетических уровней собственных дефектов, которые образуются при нарушении стехиометрического состава структуры CuI nSe 2. Из анализа температурной зависимости термоэдс установлено, что при высоких температурах основным механизмом рассеяния является рассеяние на акустических фононах.
процесс, происходящий при нагреве деформированного металла до температуры 0,3Тпл, при котором уменьшается плотность дефектов и происходит их перераспределение внутри зёрен, что приводит к некоторому снижению внутренней энергии и небольшому (на 10–15 %) уменьшению твёрдости и прочности.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
полимер стирола.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
