Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
прессование металлического порошка или порошковой формовки при температуре, превышающей температуру рекристаллизации основного компонента.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
прибор для проведения Оже-спектроскопии.