Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
эмпирическое правило, описывающее теплоемкость твердых тел при температурах выше характеристической температуры Дебая; согласно правилу, теплоемкость равна 25 Дж/моль и не зависит от температуры.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.