Глобальная оптимизация радиоэлектронной схемы
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
резистор, резистивный элемент которого выполнен из полупроводникового материала.
К активным элементам относятся полупроводниковые приборы (варикап, варистор, стабилитрон, диод, симистор...
Принцип работы резистора основан на действии закона Ома....
Практически тоже самое происходит с потоком заряженных частиц в резисторе....
Данная компания занимается производством полупроводниковых приборов.
Broadcom....
Данная компания занимается производством полупроводниковых приборов.
NVIDIA.
Обоснована необходимость создания нового метода анализа и синтеза новых технических решений на основе использования составных структурных единиц синтеза блоков. Показана целесообразность использования полупроводникового тензорезистора при синтезе в качестве блока. Получены расчетные соотношения для определения погрешности и чувствительности этого элемента, предназначенные для расчета критериев качества при оптимизации результатов синтеза.
Полупроводниковые приборы
Определение 1
Полупроводниковый прибор – это электронное устройство,...
Полупроводниковые диоды (стабилитроны, варикапы, диоды Шоттки и т.п.)....
Напряжение на резисторе, которое пропорционально средневыпрямляемому току, измеряется при разных значениях...
емкостное сопротивление при минимальной частоте во время испытания было намного меньше, чем сопротивление резистора...
Само измерение напряжения на резисторе осуществляется высокоомным вольтметром постоянного тока.
Экспериментально исследована термо-ЭДС в серебро-палладиевых толстопленочных резисторах при локальном нагревании их поверхности излучением полупроводникового лазера. Величина сигнала термо-ЭДС является максимальной при облучении лазером границ контактов резистивной пленки с электродами, знак сигнала зависит от полярности включения резисторов в измерительную схему и расположения пятна лазера на границах электродов и краях неоднородностей в материале резистивной пленки. Термо-ЭДС в резисторах при воздействии на поверхность периодическими импульсами лазера имеет постоянную и импульсную составляющие. Частота и длительность фронта термоэлектрических однополярных импульсов на электродах резисторов равны, соответственно, частоте и длительности импульсов лазера. В серебро-палладиевых толстопленочных резисторах термо-ЭДС чувствительна к взаимодействию с водородом, восстановляющим оксид палладия на поверхности резистивной пленки. Термоэлектрические явления обнаружены также в рутениевом чип-ре...
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
восьмиэлектродная электронно-управляемая лампа, имеющая анод, катод, управляющий электрод и пять дополнительных электродов.
возврат электроэнергии в сеть.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне