Геттерный насос электровакуумного прибора
элемент электровакуумного прибора, служащий для поглощения остаточных газов при низких давлениях.
заготовка из полупроводникового материала, используемая для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем.
Данный метод предполагает, что на одной пластине полупроводникового материала может производиться несколько...
После окончания технологического процесса эта пластина разрезается на кристаллы, представляющие собой...
В полупроводниковой интегральной микросхеме все соединения между элементами и сами элементы выполнены...
представляет собой кристалл кремния, в поверхностном слое которого образованы области (посредством полупроводниковой...
В такой микросхеме сочетаются преимущества полупроводниковой и пленочной технологий.
Оценивается недостатки процесса резки полупроводниковых пластин лазерным методом. Рассматриваются различные факторы, влияющие на качество конечного продукта. Проведен анализ и выявлено решение проблемы.
Электрические процессы, происходящие в электронно-дырочном переходе, являются основой работы полупроводниковых...
осуществляется травление пленки диоксида кремния и в получившееся окно производят диффузию примеси в кремниевую пластину...
Полупроводниковые диоды
Определение 2
Полупроводниковый диод — это электронный прибор, который...
изготовлен из полупроводникового материала и имеет два вывода....
Полупроводниковые диоды классифицируются по:
Размеру перехода.
В современной микроэлектронике полупроводники являются основными материалами в автоматизированных вычислительных и информационных системах управления ракет и космических аппаратов. Для получения интегральных микросхем и применения в приборах полупроводниковые пластины разделяют на кристаллы. Способы разделения полупроводниковых пластин на кристаллы это скрайбирование алмазным резцом, лазерным лучом, алмазным диском, режущим полотном и проволокой. Использование алмазного инструмента и лазерного луча загрязняет поверхность кристаллов пылевидными образованиями, при нанесении рисок образуются области с большим количеством микротрещин, сколов и других дефектов. Кроме того, на поверхность кристалла попадают капли и пары материала полупроводника. Для устранения указанных недостатков предлагается модель взаимодействия вибрирующего проволочного электрода-инструмента с поверхностью детали полупроводника, при которой гибкий инструмент принимает форму синусоиды, перемещающейся вдоль поверхности...
элемент электровакуумного прибора, служащий для поглощения остаточных газов при низких давлениях.
кварцевый генератор, содержащий дискретные элементы и элементы, выполненные методом планарной технологии.
отрицательное анодное напряжение тиристора.