Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
заготовка из полупроводникового материала, используемая для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем.
Данный метод предполагает, что на одной пластине полупроводникового материала может производиться несколько...
После окончания технологического процесса эта пластина разрезается на кристаллы, представляющие собой...
В полупроводниковой интегральной микросхеме все соединения между элементами и сами элементы выполнены...
представляет собой кристалл кремния, в поверхностном слое которого образованы области (посредством полупроводниковой...
В такой микросхеме сочетаются преимущества полупроводниковой и пленочной технологий.
Оценивается недостатки процесса резки полупроводниковых пластин лазерным методом. Рассматриваются различные факторы, влияющие на качество конечного продукта. Проведен анализ и выявлено решение проблемы.
Электрические процессы, происходящие в электронно-дырочном переходе, являются основой работы полупроводниковых...
осуществляется травление пленки диоксида кремния и в получившееся окно производят диффузию примеси в кремниевую пластину...
Полупроводниковые диоды
Определение 2
Полупроводниковый диод — это электронный прибор, который...
изготовлен из полупроводникового материала и имеет два вывода....
Полупроводниковые диоды классифицируются по:
Размеру перехода.
Предлагается метод контроля толщины полупроводниковой пластины в процессе производства, позволяющий повысить его производительность и качество изделий. Для проверки предложенных теоретических положений проведены экспериментальные исследования, приведено описание экспериментальной установки, методики проведения измерений, приводятся результаты.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
кварцевый генератор, содержащий дискретные элементы и элементы, выполненные методом планарной технологии.
контакт-деталь, жестко или упруго связанная с неподвижной частью устройства.