полупроводник с дырочной проводимостью.
с разными типами проводимости: дырочной и электронной....
В полупроводниках р-типа, получаемых в результате акцепторной примеси, концентрация дырок значительно...
В полупроводниках n-типа, получаемых посредством донорной примеси, концентрация электронов превышает...
Область в р-проводнике, примыкающая к границе, получает отрицательный заряд (переносимый электронами)...
, а пограничная область n-полупроводника получает положительный заряд, который приносится дырками.
Сформулированы методические основы выбора органических полупроводниковых катодных материалов для электрохимических преобразователей энергии с анодом из щелочного металла. Разработана и апробирована технология формирования электрохимических преобразователей энергии на основе систем прямого контакта щелочной металл | органический полупроводник p-типа, обладающих высоким и стабильным значением ЭДС. Обнаружено формирование ионопроводящего переходного слоя на основе органической матрицы с участием интеркалированного лития и органического полупроводника.
Гетеропереход может быть изотипным, если образовался в результате контакта полупроводников с разными...
значениями ширины запрещенных зон, но при этом одинакового типа электропроводности (дырочный-р или электронный-n...
Когда у полупроводников разные типы легирования, гетеропереход называется анизотипным
Принцип работы...
В полупроводниках взаимодействия между электронами может осуществляться одним из трех способов: вынужденное...
с разными величинами запрещенной зоны, появляется необходимость подбора полупроводников с близкими к
В работе рассматривается экспериментальная установка для измерения при температуре 77÷300 K фотомагнитного эффекта и фотопроводимости в магнитном поле для геометрий Фойгта и Фарадея, а также эффекта Холла и магнитосопротивления на эпитаксиальных плёнках кадмий-ртуть-теллур р-типа. Изучение этих эффектов позволяет определять для плёнок, толщина которых сравнима с длиной диффузии неравновесных носителей заряда, не только равновесную концентрацию и подвижность основных носителей заряда (дырок), но и рекомбинационно-диффузионные параметры материала.
отношение относительного изменения начальной магнитной проницаемости к логарифму отношения интервалов времени, через которые измерялась начальная магнитная проницаемость при определенных климатических условиях.
область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в кристалле.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне
