Временные напряжения
напряжения, проявляющиеся в изделии в процессе сварочного нагрева и последующего охлаждения.
полупроводник с дырочной проводимостью.
с разными типами проводимости: дырочной и электронной....
В полупроводниках р-типа, получаемых в результате акцепторной примеси, концентрация дырок значительно...
В полупроводниках n-типа, получаемых посредством донорной примеси, концентрация электронов превышает...
Область в р-проводнике, примыкающая к границе, получает отрицательный заряд (переносимый электронами)...
, а пограничная область n-полупроводника получает положительный заряд, который приносится дырками.
Сформулированы методические основы выбора органических полупроводниковых катодных материалов для электрохимических преобразователей энергии с анодом из щелочного металла. Разработана и апробирована технология формирования электрохимических преобразователей энергии на основе систем прямого контакта щелочной металл | органический полупроводник p-типа, обладающих высоким и стабильным значением ЭДС. Обнаружено формирование ионопроводящего переходного слоя на основе органической матрицы с участием интеркалированного лития и органического полупроводника.
Гетеропереход может быть изотипным, если образовался в результате контакта полупроводников с разными...
значениями ширины запрещенных зон, но при этом одинакового типа электропроводности (дырочный-р или электронный-n...
Когда у полупроводников разные типы легирования, гетеропереход называется анизотипным
Принцип работы...
В полупроводниках взаимодействия между электронами может осуществляться одним из трех способов: вынужденное...
с разными величинами запрещенной зоны, появляется необходимость подбора полупроводников с близкими к
В работе рассматривается экспериментальная установка для измерения при температуре 77÷300 K фотомагнитного эффекта и фотопроводимости в магнитном поле для геометрий Фойгта и Фарадея, а также эффекта Холла и магнитосопротивления на эпитаксиальных плёнках кадмий-ртуть-теллур р-типа. Изучение этих эффектов позволяет определять для плёнок, толщина которых сравнима с длиной диффузии неравновесных носителей заряда, не только равновесную концентрацию и подвижность основных носителей заряда (дырок), но и рекомбинационно-диффузионные параметры материала.
напряжения, проявляющиеся в изделии в процессе сварочного нагрева и последующего охлаждения.
рассеяние лучей или элементарных частиц кристаллами или молекулами жидкостей и газов.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве