Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
сдвиговое образование на поверхности металла, состоящее из группы следов скольжения (линий скольжения); линии скольжения расположены настолько близко друг к другу, что при оптическом увеличении группа линий на поверхности образца наблюдается в виде одной линии; полоса прямолинейна, если скольжение протекает в одном ряде плоскостей; волнистая в случае скольжения по нескольким рядам плоскостей, расположенных под углом друг к другу.
Рассматривая миофибриллу вдоль, можно заметить чередование светлых и тёмных полос, которое обусловлено...
Наиболее заметными являются А-полосы и более светлые I-полосы, которые регулярно чередуются вдоль миофибриллы...
Внутри I- полосы находится тёмная Z- линия (Z- диск), а внутри А-полосы — более светлая область, Н-зона...
Замечание 3
Собственно скольжение происходит благодаря реакциям между выступами миозиновых нитей...
участками тонких нитей (каждый выступ сначала прикрепляется к актиновой нити, потом тянет её, вызывая скольжение
Показано, что первая стадия кривой напряжение деформация (стадия тонкого скольжения) в деформированном кристалле возникает вследствие структурного перехода в конденсате дислокационных пар из состояния с однородным течением конденсата в состояние солитонной решетки с неоднородным течением путем расслоения течения конденсата на неподвижные домены и подвижные доменные стенки.
падения монохроматического излучения, поэтому для ее наблюдения надо возвращать кристалл так, чтобы угол скольжения...
Используя то, что $K_\alpha$-излучение атома циркония совпадает с началом полос поглощения рубидия, а...
$L_\alpha$-излучение урана - с началом полос поглощения брома, Иоганн Бейфут впервые установил абсолютные
Предложена модель формирования лестничной структуры в устойчивых полосах скольжения (УПС) при циклическом нагружении монокристаллов. Компьютерное моделирование эволюции ансамбля дислокаций показывает, что лестничная структура УПС формируется под действием полей внутренних напряжений мезодефектов, возникающих в процессе деформации на границе матрицы и полосы. Структура УПС представляет собой чередующиеся стенки дислокаций разного знака, ориентированные перпендикулярно к линии скольжения дислокаций, расстояние между стенками соответствует ширине бездислокационных каналов в матрице.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.
материал, изготовленный из металлического порошка или из его смеси с неметаллическим порошком.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве