Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
макро- или микроскопический участок образца или изделия, в котором возникла и развивается деформация скольжением.
невозможно описать только лишь простыми моделями классической механики, что объясняется сложностью реакций в зоне...
Еще одним эффективным способом считается замена скольжения качением....
Замечание 2
Коэффициент сопротивления при процессе скольжения вводят экспериментально для трущихся...
Максимальная сила трения покоя определяется подобно силе трения скольжения....
Так, скольжение этой книги будет осуществляться под воздействием силы сопротивления покоя между книгой
гидропескоструйной перфорации, гидравлическом разрыве, промывке песчаных пробок, кислотной обработке призабойной зоны...
В данном случае скольжение влияет на регулирование частоты вращения....
Муфты скольжения могут быть шести размеров, а значение частоты в таком случае находится в диапазоне от
В данной статье излагается теория определения смещения тел в контакте подшипника скольжения с учетом влияния шероховатости поверхностей. Рассматриваются явления в момент, предшествующий началу движения, так называемое предварительное смещение, под которым обычно понимают процессы, происходящие на контакте при переходе к скольжению.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве