структуре различают интегральные (микропроцессоры и микросхемы) и дискретные (фотоэлементы, диоды, фототранзисторы...
Среди транзисторов различают следующие виды: биполярные, однопереходные, полевые, IGBT-транзисторы, биполярные...
Полевой транзистор представляет собой прибор для преобразования электрической энергии, в котором электрический
Статья от экспертов
Актуальность и цели. В настоящее время для МДП-фототранзисторов отсутствует подробная методика расчета и проектирования за исключением подробного описания структуры и принципа действия. Данные приборы имеют большой потенциальный рынок сбыта как в гражданских, так и военных сферах. Целью работы является разработка методики проектирования сенсорного элемента инфракрасного датчика на базе полевого МДП-фототранзистора. Материалы и методы. Объектом исследования выступает МДП-фототранзистор. Предметом исследования является методика расчета и проектирования МДП-фототранзистора, выполняющего роль инфракрасного датчика. Результаты. Рассмотрены преимущества и недостатки МДП-фототранзистора в качестве фотоприемника. В рамках работы создана математическая модель оценки оптических свойств МДП-фототранзистора. Выведена прямая функциональная зависимость тока стока от падающего потока излучения, а также выполнен расчет основных характеристик устройства. Осуществлено моделирование процесса освещения...
Рассмотрены особенности методов исследования полуизолирующего арсенида галлия, микрои наноструктур на пластине: примесное поглощение, метод токов утечки при примесной подсветке, метод полевого фототранзистора с управлением по подложке, холловские измерения, эллипсометрия, зондовые измерения структур на пластине. Показана возможность контроля технологического цикла изготовления СВЧ микроэлектронных приборов на арсениде галлия с использованием комплекса зондовых и оптических методов исследования.