Зона проводимости полупроводника
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
кристаллографическая плоскость, по которой происходит двойникование кристалла.
Данные плоскости являются кристаллографическими, где наибольшее количество атомов....
Расположение данных плоскостей в пространстве зависит от кристаллической решетки....
У магния, цинка и прочих металлов с гексагональной плотноупакованной решеткой имеется одна плоскость...
- гексагональная плотноупакованная кристаллическая решетка с одной плоскостью сдвига....
единственным механизмом пластической деформации, в некоторых случаях деформирование происходит посредством двойникования
Изучено движение двойниковой некогерентной границы в двойниках двух систем двойникования в цинке. Стационарная форма фиксировалась, и скорость перемещения вершины двойника измерялась с использованием поляризованного света оптического микроскопа в температурном интервале 330¸415 °С. Выше 340 °С двойниковые некогерентные границы перемещались безактивационно с различной подвижностью. Делается предположение, что структура движущейся некогерентной границы зависит от залегания плоскости двойникования.
Рассмотрены метод и результаты кристаллографического анализа процессов микропластичности и разрушения при пересечении деформационных двойников в ОЦК и ГПУ металлах.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
дешевый ювелирный и декоративный сплав, содержащий 5% Ag, 5% Сu, Al - ост..