кристаллографическая плоскость, по которой происходит двойникование кристалла.
Данные плоскости являются кристаллографическими, где наибольшее количество атомов....
Расположение данных плоскостей в пространстве зависит от кристаллической решетки....
У магния, цинка и прочих металлов с гексагональной плотноупакованной решеткой имеется одна плоскость...
- гексагональная плотноупакованная кристаллическая решетка с одной плоскостью сдвига....
единственным механизмом пластической деформации, в некоторых случаях деформирование происходит посредством двойникования
Изучено движение двойниковой некогерентной границы в двойниках двух систем двойникования в цинке. Стационарная форма фиксировалась, и скорость перемещения вершины двойника измерялась с использованием поляризованного света оптического микроскопа в температурном интервале 330¸415 °С. Выше 340 °С двойниковые некогерентные границы перемещались безактивационно с различной подвижностью. Делается предположение, что структура движущейся некогерентной границы зависит от залегания плоскости двойникования.
Рассмотрены метод и результаты кристаллографического анализа процессов микропластичности и разрушения при пересечении деформационных двойников в ОЦК и ГПУ металлах.
отношение относительного изменения начальной магнитной проницаемости к логарифму отношения интервалов времени, через которые измерялась начальная магнитная проницаемость при определенных климатических условиях.
интервал времени от нанесения клея до соединения склеиваемых поверхностей в условиях окружающей среды; время открытой выдержки необходимо для удаления растворителя из полимерного клеевого слоя, заполнения клеем неровностей и пор, вытеснения из них воздуха и образования на склеиваемой поверхности слоя клея равномерной толщины.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
