Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
компьютерная голография. реализуемая в оптическом диапазоне излучения.
Экспериментально решена проблема создания на поверхности деталей из оптического стекла, являющегося диэлектрическим материалом, бинарного функционального микрорельефа методом плазмохимического травления на серийной установке Caroline 15 PE. Получены зависимости скорости и селективности травления стекла от основных факторов процесса. Установлен режим, обеспечивающий полирующее травление оптического стекла. Обоснован и представлен технологический процесс изготовления соответствующих оптических деталей.
Представлена математическая модель физического явления голографической и спекл-интерферометрии, объединяющая существующие теории геометрической и дифракционной оптики. Эта модель используется в экспериментальной механике при анализе пространственных перемещений и деформаций натурных конструкций. Открываются новые возможности исследования широкого спектра задач.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
предел разрешения ЭОП при заданных освещенности и контрасте штриховой миры.