Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
метод цифровой голографии, позволяющий получать изображения в определенной плоскости трехмерной среды из цифровой голограммы, содержащей модель волны, которая несет информацию об объектах, расположенных в объеме этой среды.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
геометрическое место точек поверхности, в которых освещенность одинакова.