Зона проводимости полупроводника
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
вращениe вокруг прямой, проходящей через центр кристалла, либо отражениe от плоскости или в точке, приводящеe к совмещению кристалла с самим собой.
Каждой операции симметрии подходит определенный элемент симметрии....
данной операции симметрии....
в центре симметрии $i$;
операция идентичности $E$....
Группу симметрии образует комплекс всех операций симметрии объекта....
и вклчающий все возможные операции симметрии.
Введение: в статье излагается новый методологический подход к изучению музыкального текста с помощью операций симметрии, который позволяет достичь максимально абстрагированного уровня представления музыкального сочинения и приблизить его к математическому моделированию. Материалы и методы: в работе представлена технология построения математической модели нотного текста любой сложности на основе преобразований симметрии. Методология исследования базируется на практическом приеме раздельного рассмотрения звуковой и ритмической последовательностей. Результаты исследования: используемые формулы и математические символы позволяют включать нотный материал в различные информационные системы, отражающие в математической форме важные свойства музыкального сочинения или его фрагмента как систему симметрических соотношений. Исследование этих соотношений средствами математики помимо педагогической ценности должно ответить на поставленные вопросы о свойствах некоторой совокупности звуковысотных ...
Данные преобразования представляют собой операции симметрии, которые делятся на собственные вращения...
Определение 2
Группа симметрии – это совокупность всех операций симметрии фигуры....
Все группы операций симметрии обладают общими математическими свойствами:
умножение операций в группе...
Замечание 1
Преобразования конечных фигур называются закрытыми операциями симметрии....
Для обозначения операций и групп симметрии используются алгебраическая (система Шенфлиса) и кристаллографическая
Работа Андреева А.И. «Фундаментальная теория классов симметрии кристаллов» является развитием фундаментальной теории симметрии кристаллов путем введения инверсионных операций симметрии, включая инверсионные плоскости симметрии, инверсионные оси второго порядка.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
материал, изготовленный из металлического порошка или из его смеси с неметаллическим порошком.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве