Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
прямая, проходящая через центр кристалла, поворотом вокруг которой на угол 2π/n кристалл совмещается со своим исходным положением (n равно 1, 2, 3, 4, 6 и определяет порядок симметрии).
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
полимер этилена [этена].
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.