Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
ФПУ, в котором для обнаружения и (или) измерения оптического излучения используют охлаждаемый ФЭПП.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
семиэлектродная электронно-управляемая лампа, имеющая анод, катод, управляющий электрод и четыре дополнительных электрода.