Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
сварной шов с уменьшенным против нормы рабочим сечением.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
пластмасса с использованием полимеров, в которых повторяющиеся структурные звенья в цепях относятся к эфирному типу и также присутствуют другие типы повторяющихся структурных звеньев, причем сложноэфирный компонент или компоненты представлены в наибольшем количестве.