Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
диапазон линейных размеров приблизительно от 1 до 100 нм.; верхнюю границу этого диапазона принято считать приблизительной, так как в основном уникальные свойства нанообъектов за ней не проявляются; нижнее предельное значение в этом определении (приблизительно 1 нм) введено для того, чтобы исключить из рассмотрения в качестве нанообъектов или элементов наноструктур отдельные атомы или небольшие группы атомов.
Получены значения индекса фрактальности отдельных участков искусственных кристаллов поваренной соли. Обнаружены эффекты анизотропии фрактальных характеристик. Определены значения твердости и модуля упругости и сопоставлены с результатами других исследований. Рассмотрен вопрос о корреляции между фрактальными параметрами и механическими характеристиками.
Приведены результаты исследований воздуха рабочей зоны металлургического производства на содержание частиц нанодиапазона. Максимальная концентрация наночастиц в диапазоне 13523-28609 млн/м 3 определена на рабочем месте плавильщика титанового производства с максимальным размером частиц 10-15 нм. На рабочем месте в административном корпусе (рабочее место сравнения) максимальная концентрация определена в диапазоне 527-1000 млн/м 3, максимальный размер частиц ~ 20 нм.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
изделие из прозрачного стекла, на поверхность которого последовательно нанесены отражающее металлическое и защитное лакокрасочное покрытия, характеризующееся высоким коэффициентом отражения света.
декоративный и ювелирный сплав цинка, содержащий 45% Сu и заменяющий платину в украшениях.