Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
полупроводниковые приборы (тиристopы, транзисторы), управляемые МОП-структурой.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
ток, стекающий в землю через место замыкания.
энергия, переносимая излучением импульсной лампы.