Гибридный фоточувствительный прибор с переносом заряда
фоточувствительный прибор с переносом заряда, состоящий из нескольких полупроводниковых кристаллов, фоточувствительных модулей, схем коммутации и управления.
транзистор со структурой «металл-окисел-полупроводник»; в основе принципа работы МДП (МОП) транзисторов –влияние поля, изменяющего величину заряда электропроводимости на границе полупроводника с диэлектриком под действием приложенного напряжения.
Рассмотрен режим сверхбыстрого включения высоковольтного МОП-транзистора, при котором время переключения прибора не превышает единиц наносекунд. Дано объяснение механизма сверхбыстрого включения, предложена его математическая модель. Приведены результаты прямых экспериментов, подтверждающих механизм сверхбыстрого включения.
Рассмотрен режим сверхбыстрого выключения высоковольтного МОП-транзистора, при котором время переключения прибора не превышает единиц наносекунд. Дано объяснение механизма сверхбыстрого выключения и предложена его математическая модель. Приведены результаты прямых экспериментов, подтверждающих наличие механизма сверхбыстрого выключения.
фоточувствительный прибор с переносом заряда, состоящий из нескольких полупроводниковых кристаллов, фоточувствительных модулей, схем коммутации и управления.
изолятор, образующий проход для проводника через неизолированную перегородку.
ветвь графа, не принадлежащая дереву графа.