Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
Транзистор Дарлингтона
Предмет
Электроника, электротехника, радиотехника
Разместил
🤓 vechildcorkiy1970
👍 Проверено Автор24
схема Дарлингтона; последовательное соединение транзисторов по схеме с общим эмиттером, при котором коллекторы соединены между собой, эмиттер предыдущего транзистора соединен с базой последующеrо, за счет чего результирующий коэффициент усиления по току равен произведению коэффициентов усиления, входящих в схему транзисторов.
Научные статьи на тему «Транзистор Дарлингтона»
Микросхемотехника
производства полупроводниковых интегральных микросхем ориентировано на создание такой схемы, к которой n-p-n транзисторы...
Для получения необходимых характеристик транзисторов, в технологический процесс производства вводятся...
высокоомные резисторы реализуются в виде большого внутреннего динамического сопротивления источников тока на транзисторе...
В усилительных каскадах применяют сложные элементы, например Дарлингтона.
Статья от экспертов
Использование тестовых структур в виде транзистора Дарлингтона для диагностирования больших и сверхбольших интегральных схем
В работе даются характеристики тестовых структур в виде транзистора Дарлингтона. Также описаны методы диагностирования БИС и СБИС на основе анализа параметров тестовых структур: метод параметрической идентификации и метод оптимизации.
Creative Commons
Научный журнал
Стационарные режимы усиления силовых биполярных транзисторных модулей
Предложена сравнительно простая аналитическая модель зависимостей коэффициента усиления по току от тока коллектора транзисторных модулей, изготовленных на основе приборов с одинаковыми (схема Дарлингтона) либо различными (комплементарная пара) типами проводимости. Определены условия работы транзисторов, составляющих эти модули. Показана возможность определения обобщенного электрофизического параметра эмиттерного перехода и времени жизни неосновных носителей заряда в базовых областях входных транзисторов модулей. Проведена сравнительная оценка представленных теоретических положений с результатами эксперимента. Модель приведена в виде, удобном для определения статических характеристик и других транзисторных модулей, например, составных транзисторов с дополнительной симметрией.
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»
Передаточная характеристика
зависимость выходного напряжения от входного.
Ток замыкания на землю
ток, стекающий в землю через место замыкания.
- Схема Дарлингтона (Darlington connection) -
- Бездрейфовый транзистор
- Биполярный транзистор
- Дрейфовый транзистор
- Лавинный транзистор
- МДП-транзистор
- МОП-транзистор
- Плоскостной транзистор
- Полевой транзистор
- Симметричный транзистор
- Точечный транзистор
- Транзистор (Тransistor)
- База транзистора (Transistor base)
- Время включения биполярного транзистора
- Время включения полевого транзистора
- Время выключения биполярного транзистора
- Время выключения полевого транзистора
- Время задержки для биполярного транзистора
- Время нарастания для биполярного транзистора
- Время нарастания для полевого транзистора
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
