Крайне высокие частоты
радиочастоты 30-300 ггц.
два транзистора, изготовленные в одном кристалле полуnроводника, один из которых имеет канал с проводимостью п-типа, а другой -р-типа.
радиочастоты 30-300 ггц.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.