Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
транзистор со структурой «металл-окисел-полупроводник»; в основе принципа работы МДП (МОП) транзисторов –влияние поля, изменяющего величину заряда электропроводимости на границе полупроводника с диэлектриком под действием приложенного напряжения.
Рассмотрен режим сверхбыстрого включения высоковольтного МОП-транзистора, при котором время переключения прибора не превышает единиц наносекунд. Дано объяснение механизма сверхбыстрого включения, предложена его математическая модель. Приведены результаты прямых экспериментов, подтверждающих механизм сверхбыстрого включения.
Рассмотрен режим сверхбыстрого выключения высоковольтного МОП-транзистора, при котором время переключения прибора не превышает единиц наносекунд. Дано объяснение механизма сверхбыстрого выключения и предложена его математическая модель. Приведены результаты прямых экспериментов, подтверждающих наличие механизма сверхбыстрого выключения.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
отрицательное анодное напряжение тиристора.
преобразование номера приходящего входного сигнала в выходной двоичный код.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне