Детекторный полупроводниковый диод
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
транзистор со структурой «металл-окисел-полупроводник»; в основе принципа работы МДП (МОП) транзисторов –влияние поля, изменяющего величину заряда электропроводимости на границе полупроводника с диэлектриком под действием приложенного напряжения.
Рассмотрен режим сверхбыстрого включения высоковольтного МОП-транзистора, при котором время переключения прибора не превышает единиц наносекунд. Дано объяснение механизма сверхбыстрого включения, предложена его математическая модель. Приведены результаты прямых экспериментов, подтверждающих механизм сверхбыстрого включения.
Рассмотрен режим сверхбыстрого выключения высоковольтного МОП-транзистора, при котором время переключения прибора не превышает единиц наносекунд. Дано объяснение механизма сверхбыстрого выключения и предложена его математическая модель. Приведены результаты прямых экспериментов, подтверждающих наличие механизма сверхбыстрого выключения.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
газовый лазер, в котором лазерные переходы происходят между уровнями энергии молекул.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве