Ионный отражатель
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
полупроводниковая технология на основе полевых транзисторов типа "металл — окисел — полупроводник" (MOS).
Улучшенная штукатурка применяется в коридорах, МОПах, холлах.
Приведены результаты компьютерного моделирования с использованием пакета программ PSpice МОП-ключей двухстороннего действия. Выявлено влияние различных факторов на форму вольт-амперных характеристик МОП-транзисторов в первом и третьем квадрантах. Даны рекомендации по выбору режима работы МОП-транзисторов. Проверка двух типовых схем КМОП-ключей при коммутации гармонических сигналов выявила их высокие качественные показатели
жилом здании площадь общих помещений мала, по сравнению с жилой, а в общественных зданиях на коридоры, МОПы
Рассмотрен режим сверхбыстрого включения высоковольтного МОП-транзистора, при котором время переключения прибора не превышает единиц наносекунд. Дано объяснение механизма сверхбыстрого включения, предложена его математическая модель. Приведены результаты прямых экспериментов, подтверждающих механизм сверхбыстрого включения.
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
контакт-деталь, жестко или упруго связанная с неподвижной частью устройства.
ток, стекающий в землю через место замыкания.