Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
спектрофотометр, предназначенный для исследований объектов малых размеров при помощи оптических систем микроскопов.
В статье представлено описание результатов исследования пролиферативной активности, индекса клональной пролиферации и коэффициента анеуплоидии при предраковых заболеваниях и раке молочной железы. Определено, что увеличение данных показателей ведет к увеличению агрессивности опухоли и ухудшению течения новообразований молочной железы.
Изучен характер воздействия высокотемпературного плазменного потока на генетический аппарат клеток печени и особенности их реакции у 40 больных с эхинококкозом печени, оперированных с применением высокотемпературных плазменных технологий. Микроспектрофотомет-рически исследована ткань печени в непосредственной близости от паразитарной кисты до и после воздействия плазменным скальпелем. Установлено, что в зоне нарушенного гомеостаза печени после воздействия плазменного потока происходит активизация регенерационного процесса и усиление репаративной регенерации печеночной ткани.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
объект, вносящий фазовую модуляцию в волновой фронт.