Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скольжение, происходящее при определенных температурно-скоростных условиях деформирования и заключающееся в смещении одного зерна относительно другого; обычно наблюдается при высокотемпературной ползучести и сверхпластическом течении.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
термомеханическая обработка стали, проводимая во время превращения аустенита в перлит.
химическоe соединениe элемента с кислородом.