Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
центр возможного положения атома в кристаллической решетке, не совпадающий с узлами решетки.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
полимер стирола.
изменение линейных размеров тел при изменении температуры.