перемещение диффундирующего вещества по междоузлиям.
Разработана модель зависимой от стресса поверхностной генерации и рекомбинации точечных дефектов в кремнии. С ее помощью смоделированы такие явления, как рост дефектов упаковки и диффузия легирующих примесей в кремнии
Исследованы фото стимулированные преобразования дефектной структуры монокристаллов CdS(Cu), которым исходно свойственны междоузелъные доноры Си{, способные испытывать ионизационно-ускоренную диффузию по междоузлиям кристаллической решетки и ассоциироваться друг с другом. При этом в спектре индуцированной примесной фотопроводимости (ИПФ) ”разгораются” квазилинейчатые спектры ИПФ в диапазоне hv — 0.35 — 0.58 эВ, примыкающие к полосе ИПФ с hvMакс = 0.33 эВ изолированных Сн°. Энергетическое положение и распределение относительных интенсивностей полос в квазилинейчатых спектрах ИПФ объяснены в рамках модели распределенных по межатомным расстояниям донорныхи пар
интервал времени от нанесения клея до соединения склеиваемых поверхностей в условиях окружающей среды; время открытой выдержки необходимо для удаления растворителя из полимерного клеевого слоя, заполнения клеем неровностей и пор, вытеснения из них воздуха и образования на склеиваемой поверхности слоя клея равномерной толщины.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
термомеханическая обработка стали, проводимая во время превращения аустенита в перлит.
