Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
матрица коэффициентов в системе уравнений второго закона кирхгофа, записанных для контуров связей графа радиоэлектронной схемы и выраженных явно относительно напряжений связей графа радиоэлектронной схемы, взятая с обратным знаком.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.