Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
марганцевая бронза, содержащая 12% Μn и 2% Ni и отличающаяся высоким удельным электросопротивлением (0,47 мкОм·м) и малым температурным коэффициентом удельного электросопротивления (2⋅10-6 К-1 ) в интервале температур 293÷393 К; преимуществом манганина является малая ТЭДС в паре с медью ~ 1 мкВ⋅К-1 ; манганин используют для эталонных сопротивлений в измерительных приборах, а также для изготовления пружин.
Сопротивление проволоки представляет собой, как правило, вольфрам, манганин, нихром или хромовый сплав
Батырев Ю.П., Полуэктов Н.П., Харченко В.Н., Багдатьев В.Е. МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРНОЙ СТАБИЛЬНОСТИ ВИХРЕТОКОВЫХ ДАТЧИКОВ. Разработаны методы снижения температурной погрешности вихретокового датчика перемещения для расширения температурного диапазона работы до 170°С: 1 со встроенным датчиком температуры и микропроцессорным блоком; 2 использующий включение катушки датчика из проволоки с малым ТКС (манганин) в схему релаксационного генератора.
Шунты изготавливаются из манганина....
что Rп намного меньше Rд, а В намного меньше Вп
Как и шунты, добавочные резисторы изготавливаются из манганина
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.