Абразивный износ
процесс удаления материала с поверхности, при котором жесткие частицы скользят или катятся по поверхности детали под давлением. Частицы могут быть свободны или являться частью другой поверхности.
остаточное напряжение в материале на расстоянии, сравнимом с размерами устройств тензометрии (в противоположность напряжениям в пределах очень маленьких специфических областей, таким как отдельные зерна).
Напряженность локального поля
Если диэлектрик поместить в электрическое поле (которое назовем внешним...
{lok}}=\overrightarrow{E}-{\overrightarrow{E}}_{mol}\left(1\right),\]
где $\overrightarrow{E}$ -- макроскопическое...
среднего макроскопического поля, $\overrightarrow{E_1}$ -- напряжённость поля, которое создают связанные...
overrightarrow{E}+\frac{\overrightarrow{P}}{3{\varepsilon }_0}\left(5\right).\]
Поляризацию и среднее макроскопическое...
Если диэлектрик конечен, то напряженность в нем зависит от его размера и формы.
В работе представлена попытка макроскопического описания двойникования в отожженном титане ВТ1-0 в результате воздействия концентрированного напряжения, созданного внешней нагрузкой на алмазную пирамидку. Полученные результаты позволяют объяснить некоторые макроскопические процессы, протекающие в титане под воздействием внешних напряжений. Исследования выполнены с использованием оборудования Центра коллективного пользования БелГУ.
В этом случае интерес представляет усредненная по объему величина микроскопического поля, то есть макроскопическое...
Данная средняя величина напряженности электрического поля называется напряженностью электрического поля...
Но он должен быть малым макроскопически, то есть значение поле в этом объеме должно быть неизменным....
В полости напряженность поля будем считать равной напряженности, создаваемой свободными зарядами $\sigma...
Для измерения напряженности поля внутри диэлектрика можно просто измерить напряжение между обкладками
Разработана методика расчета полей напряжений у полисинтетического двойника, находящегося вдали от поверхности кристалла. В основу методики положен дислокационный подход к моделированию двойникования кристаллов без использования приближения тонкого двойника. В качестве примера рассчитаны скалывающие напряжения у полисинтетического двойника с входящими в его состав двойниками, имеющими прямолинейные границы при равномерном распределении на них двойникующих дислокаций.
процесс удаления материала с поверхности, при котором жесткие частицы скользят или катятся по поверхности детали под давлением. Частицы могут быть свободны или являться частью другой поверхности.
устройство для изгиба жести до желательного угла.
процесс шлифования, при котором обработка резанием производится при очень медленной поперечной подаче.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве