Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
С помощью скоростной киносъемки и измерениями на макрошлифах установлено, что плазменная полоцилиндрическая дуга (обратной полярности) обеспечивает кроме очистки катодным распылением, нагрев наплавляемого участка изделия и хвостовой части ванны. Это воздействие способствует увеличению ширины валика без увеличения глубины проплавления. Замечено, что с увеличением силы тока плазменной дуги размер капель с плавящегося электрода уменьшается.
Проведены макроскопический и микроскопический анализы образцов рафинированного технического кремния, полученного в руднотермической печи на ЗАО «Кремний» (г. Шелехов). Исследования проводились на травленых и нетравленых образцах, в светлом и темном поле. Установлено присутствие в кремнии различных по природе, сложных по составу металлических и неметаллических фаз. Проведенные исследования позволяют разработать способ дальнейшей очистки рафинированного технического кремния.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
полимер, полученный из двух или более видов мономера.