Ёмкостный элемент
идеальный элемент электрической цепи (идеальный конденсатор), обладающий только электрической ёмкостью.
электрический пробой p-n перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля.
На их стыке образуется p-n переход. К р подключен анод, а к n катод....
Конструкции на туннельные, лавинные, лавинно-пролетные, диоды Шотки, стабилитроны, фотодиоды и другие...
Размеру перехода на точечные, микросплавные, плоскостные....
Автор24 — интернет-биржа студенческих работ
где, U - напряжение на р-n переходе; Io - обратный ток; Фt...
Электрический пробой может быть двух видов - лавинный туннельный.
Представлены результаты исследования фрактальных свойств микроплазменного шума при лавинном пробое светодиода видимого диапазона спектра (длина волны λ= 660; 700 нм). Определен вид пробоя p n -перехода в результате измерений вольт-амперных характеристик при комнатной температуре, температуре 100-105 °С и после остывания до комнатной температуры. Показано, что в большинстве образцов светоизлучающих диодов реализуется лавинный тип пробоя. Установлено, что в светоизлучающих диодах может реализовываться режим частичного лавинного пробоя, когда через прибор протекает небольшой ток в виде импульсов. При увеличении напряжения амплитуда импульсов растет, близко расположенные импульсы сливаются, а временные промежутки между ними сокращаются. Для объяснения экспериментальных результатов применены модель процессов, протекающих в микроплазме, и модель шумов частичного и развитого лавинного пробоя А.С. Тагера. В результате проведенного исследования выявлены ранее не описанные особенности микропл...
, то есть послойного наращивания кристаллической структуры и создание контактных отводов от каждого p-n...
Скорость работы фотодиода определяется скоростью разделения носителей p-n перехода, а также его емкостью...
Фотодиоды делятся на следующие виды:
P-I-N фотодиод....
Лавинный фотодиод....
В структуре таких фотодиодов используется лавинный пробой - пробой, который обусловлен тем, что носители
В статье анализируется существующая модель процессов, протекающих в ходе частичного лавинного пробоя p–n--перехода. Установлено, что данные, полученные в результате экспериментов с обратносмещенными светодиодами, не описываются этой моделью. Обнаруженные фрактальные свойства микроплазменного шума служат основанием для проведения дальнейших исследований, которые должны объяснить характеристики пробоя реальных образцов светодиодов и откорректировать существующую модель лавинного пробоя p–n-переходов.
идеальный элемент электрической цепи (идеальный конденсатор), обладающий только электрической ёмкостью.
секция, находящаяся в процессе коммутации.
возврат электроэнергии в сеть.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве