Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
наименее легированная область полупроводникового кристалла, граничащая с р-п-переходом.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
ток, стекающий в землю через место замыкания.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.