Передаточная характеристика
зависимость выходного напряжения от входного.
пробой р-п-перехода, вызванный ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемым в р-п-переходе и отводимым от него теплом.
В статье рассмотрена возможность сформировать один р-n-переход биполярного транзистора в виде светоизлучающего, что позволит повысить степень интеграции сверхбольших интегральных схем за счет уменьшения тепловыделений.
зависимость выходного напряжения от входного.
величина обратная сопротивлению.
энергия, переносимая излучением импульсной лампы.