Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
пробой р-п-перехода, вызванный ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемым в р-п-переходе и отводимым от него теплом.
В статье рассмотрена возможность сформировать один р-n-переход биполярного транзистора в виде светоизлучающего, что позволит повысить степень интеграции сверхбольших интегральных схем за счет уменьшения тепловыделений.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
электрический ток, значение которого превышает заданное предельное значение.