Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
максимальный разброс напряжения (тока) временной флюктуации выходного или темнового сигнала ФППЗ или его части, в том числе одного фоточувствительного элемента, в заданной полосе частот.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
необратимая тонкослойная регистрирующая среда, содержащая светочувствительные наночастицы галогенидов серебра в желатиновой матрице.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.