Вспенивающийся клей
клей пониженной плотности, вспенивающийся в процессе нанесения и/или отверждения, создавая пористую клеевую прослойку и заполняя пустоты.
индексы в кристаллографии, с помощью которых обозначаются плоскости, направления и узлы в кристаллической решётке.
Индицирование
Определение 2
Индицирование – это присвоение каждой грани числового кристаллографического...
Для того, чтобы добиться симметрии при написании индексов для плоскостей расположенных симметрично, вводится...
Чтобы обозначить символами грани в гексагональных кристаллах используется индекс Браве - hkil....
Индекс i не является независимым, потому что i =
–(h + k)....
Данным индексом во многих случаях пренебрегают и ставят на третье место в символе плоскости точку (hk.l
Разработан быстродействующий алгоритм генерации взаимно-простых кристаллографических индексов направлений-векторов из ограниченной области решетки, и на его основе новый метод расчета сингулярных направлений из независимых, сферически ограниченных областей решеток различных сингоний
Кристаллографическое индицирование
Определение 1
Кристаллографическое индицирование – это специальная...
Замечание 1
Кристаллографическое индицирование одинаково почти для всех кристаллографических систем...
Запятая может быть поставлена только в том случае, если индекс состоит из двух знаков....
Индексы узловых рядов и сеток....
На вышепредставленном рисунке изображены сетки с индексами (100), (110) и (320).
Описана методика экспрессного кристалломорфологического анализа на базе цилиндрического гониометра. Для гониометра рассчитаны градусная сетка и палетка, позволяющие вычислять индексы граней, а также кристаллографические зоны. На примере округлого алмаза уральского типа и плоскогранного кальцита показаны быстрые методы расчета кристаллографических параметров криволинейных и плоскогранных форм кристаллов.
клей пониженной плотности, вспенивающийся в процессе нанесения и/или отверждения, создавая пористую клеевую прослойку и заполняя пустоты.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне