Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
конструктивно и функционально законченное изделие, выполняющее свои функции на основе электронных эффектов в твердом теле при криогенных температурах.
В процессе структурирования ледового покрытия для спортивных арен необходимо прецизионное поддержание значений концентрации модификаторов в поверхностном слое льда. Приведены экспериментальные данные о влиянии изменения концентрации на длину пробега тестового прибора-скользиметра. Разработана расчетная модель, позволяющая определять концентрации модификаторов в поверхностном слое льда при периодических его обновлениях с погрешностью 7...13 % (в сравнении с экспериментальными данными). Представлены изображения структур модифицированных ледовых покрытий, полученные с помощью растрового криоэлектронного микроскопа.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
элемент электровакуумного прибора, служащий для поглощения остаточных газов при низких давлениях.
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.